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 [wince study]关于Nand Flash Bad Block
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oceanblue 发表于 2008/8/3 18:53:02 |
对于nand最大的问题就是会有bad block，由于bad block的不确定性，所以进一步加大了对nand编程访问的难度。所以只有解决了bad block的问题才可能使用nand，将bad block处理的好才会最大的提升nand的access效率。
什么是bad block呢？就是在这一个block里有1个或多个bit的状态不能稳定的编程，所以就没法使用它，但是如果一个block(128KByte)有一个Bit是坏的，那么整个block放弃使用。听起来有点浪费，可能是根据物理原理使整个block的稳定性不能保证吧，或者是其他考虑。不过既然三星要求我们这么做，那么为了系统的稳定，也不要计较那几百KB的容量了。
bad block有2种，一种是initial bad block，另一种是runtime bad block。所谓initial bad block就是在三星出厂时就是坏块的。为什么出厂会有坏块？这个很正常，因为nand就是会有坏块，比LCD有坏点的几率大 |
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[wince study]Windows CE 6.0 安装顺序
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oceanblue 发表于 2008/6/19 9:46:06 |
1、先装Visual Studio 2005, 我拿到的是Professional Edition。最好别用DEFAULT安装，把组件CUSTOM一下，不然会花很多冤枉的磁盘空间。WINCE600的Platform Builder不像WINCE500是独立的，而是作为VS2005的插件，以后建立和定制OS、编译调试全部在VS2005里完成
2、安装Visual Studio 2005 Service Pack 1, 发布的地址 http://msdn2.microsoft.com/zh-cn/vstudio/bb265237.aspx
这是必须的装的，Release Note里面提到SP1提供了Windows Embedded 6.0 platform and tools support。
不同的VS2005版本(Standard / Professional / Tem Edition) 会对应到不同的下载上， |
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[wince study]Windows Embedded CE 6.0 的新功能介绍
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oceanblue 发表于 2008/6/19 9:34:32 |
Windows Embedded CE 6.0 的新功能介绍
Windows CE 的第一个版本发行于 1996 年。从那以后，随着半导体元件的突飞猛进，出现了许多新类型的可移植嵌入式产品。据 Semiconductor Industry Association (SIA) 统计，1994 年，全球半导体销售额达到 1000 亿美元，2006 年这一数字有望上升到 2500 亿美元。在此期间，Windows® CE 团队充分了解在嵌入领域工作的开发人员的想法，不断推动产品和技术的更新换代。
Windows Embedded CE 6.0 概述
就之前的五个版本而言，Windows CE 是各种嵌入式设备的基础。而最新版本的 Windows Embedded CE 6.0 传承了推陈出新的特点，提供了一整套新增功能，其中有些新功能您需要掌握，而其他的只需知道即可。（请参 |
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[wince study]WinCE下，快速编译驱动及BSP
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oceanblue 发表于 2008/6/19 9:10:16 |
WinCE下，快速编译驱动及BSP
在WinCE下面，创建工程，然后编译是需要花很长时间的。当我们第一编译完工程以后，如果需要改我们的驱动或者BSP，我们是不需要重新编译整个工程的：
1. 如果更改了driver，以WinCE6.0为例，我们可以在菜单里面选择“build”->“Open Release Directory in Build Window” ，然后在弹出的命令行窗口中，通过dos命令切换到你要编译的driver的目录下面，然后运行“build”就可以了。也可以运行“build -c”会强制把所有的文件都编译一遍。被编译后的driver的dll会被自动拷贝到release目录下面，然后再切换的工程的release目录下面，运行一下“make image”就可以了。
2. 如果改变了OAL部分的代码，同样用上面介绍的方法，需要注意的是，OAL部分可能包含多个文件夹，如果改变了OAL里面的代码，不要进入OAL |
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[wince study]也谈bootloader.
原创空间
oceanblue 发表于 2008/6/17 11:05:09 |
| Nor flash memory的价格比SDRAM,NAND flash要昂贵得多。
用户就可以选择在Nand flash运行boot code，在SDRAM上运行
main code.为了实现这个技术，必须有SRAM,称作“Steppingstone".
当启动时，会把Nand flash前4k的内容拷贝到Steppingstone,然后执行。
通常而言boot code会拷贝Nand flash的内容到SDRAM中。
先写到这里。。。。。
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[wince study]DRAM, SRAM, SDRAM的关系与区别
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oceanblue 发表于 2008/6/17 10:45:11 |
DRAM，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据.而且是行列地址复用的，许多都有页模式。
SRAM，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。
SDRAM，同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。 DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大。 但是读写速度不如SRAM，但是现在，SDRAM的速度也已经很快了，时钟好像已经有 150兆的了。那么就是读写周期小于10ns了。
SRAM是静态内存，SDRAM是同步动态内存
每单位容量的DRAM使用较少的晶体管而且占用面积小，而SRAM则是用较多晶体管占用的面也要相对大不少；DRAM需要不断刷新来维持所存储的数据，SRAM则不需要；DRAM的存取时钟间隔长，而SRAM的速度快，时间短；DRAM的耗电低，SRAM耗电大。
目前，相同容量的SRAM价格是SDRAM的8倍左右，面积则将近大4倍，所以SRAM常用于快速存储的较低容量的RAM |
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[wince study]Nand Flash结构与读写分析
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oceanblue 发表于 2008/6/17 8:52:02 |
NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽。这些Line 会再组成Page，(Nand Flash 有多种结构，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Byte，每32 个page 形成一个Block， Sizeof(block)=16kByte 。1 block=16kbyte，512Mbit=64Mbyte，Numberof(block)=4096 1block=32page, 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)
Nand flash 以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： -- |
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